Автоматические системы дисковой резки пластин применяться как при мелкосерийном, так и в средне и крупносерийном производстве. Установки применяются для всех типов материалов: пластины Si, Ge и GaAs, текстолиты типа FR3/FR4, керамика и корпуса QFN, стекло, светодиоды, пластины InP, пьезокерамика, сапфир, кварц и т.д.
| Размер пластин | До 12 дюймов |
|---|---|
| Скорость вращения инструмента | До 50000об/мин |
| Разрешение по Y,Z | 0,1 мкм |
| Разрешение по X | 1 мкм |
| Управление | 15-дюймовый сенсорный экран |
Установки шлифовки пластин обеспечивают обработку полупроводниковых пластин и подложек диаметром 3/4/6/8”.
Системы шлифовки пластин обеспечивают обработку полупроводниковых пластин и подложек на основе таких материалов как Si, Ge, SiC, GaAs, GaN, AlN, InP, сапфир, керамика, стекло и т.д. Загрузка подложек осуществляется оператором вручную, а процесс утонения автоматически согласно заданному рецепту.
| Размер пластин | 3–8” |
|---|---|
| Толщина пластин | 50–24000 мкм |
| Разрешение | 0,1 мкм |
| Разнотолщинность | ≤2 мкм |
| Шероховатость | Ra≤0,02 мкм |
Установки химической полировки предназначены для операций химической полировки в агрессивных средах таких как бром-метанол или кислотные травители для обработки поверхности. Предназначены для полировки полупроводниковых пластин или электронных и оптоэлектронных кристаллов.
| Размер подложек | 3–8” |
|---|---|
| Размер платы | 355–508 мм |
| Скорость вращения | 0–120 об/мин |
| Время работы | 0–10 ч |
Системы предназначены для отмывки заготовок из пластин после дисковой резки. Отмывка производится программно в соответствии с размером заготовки и требованиями к чистоте. Системы имеет сенсорный экран для настройки параметров отмывки и функцию создания и хранения рецептов.
| Максимальный размер пластин | 12” |
|---|---|
| Метод отмывки | вода + сжатый воздух/азот |
| Скорость вращения | до 3000 |
| Загрузка/выгрузка заготовок | ручная |
Ручные и полуавтоматические установки нанесения пленки предназначены для нанесения различных пленок, в процессах обработки полупроводниковых пластин в микроэлектроники. В установку входит, нагревательный стол, система подачи пленки, устройство для перпендикулярной и кольцевой обрезки пленки после нанесения ее на пластину и система вакуумной фиксации.
| Материал поверхности стола | тефлон |
|---|---|
| Температура нагрева | До 100 °С |
| Размер стола под пластины | 4”, 5”, 6’’, 8’’ |
Установки растяжки предназначены для растяжки пленки с порезанными изделиями и облегчения снятия изделий после завершения процесса резки для последующего монтажа или сортировки. Равномерность растяжение пленки-носителя пластины осуществляется за счет регулируемой скорости и высоты подъёма. Системы имеют функцию подогрева.
| Размер рамок/пяльцев | 200/300 мм |
|---|---|
| Систем подогрева | есть |
| Система поддува | есть |
| Регулировка параметров | есть |
Установки ультрафиолетовой засветки предназначены для равномерной засветки изделия после резки для достижения снижения адгезии между пленкой и кристаллами. Установки реализованы с ручной и полуавтоматической загрузкой. Функция быстрой настройки процесса и регулировки времени засветки.
| Размер рабочий области | 6–12” |
|---|---|
| Размер пластин | 3–12” |
| Источник | LED, 365 нм |
Оборудование для механической обработки пластин и подложек используется в процессах производства полупроводников в микроэлектронике. Это процессы дисковой резки пластин и подложек, шлифовки, полировки и других видов механической обработки пластин из полупроводниковых материалов, используемых в микроэлектронике. Процессы являются важными стадиями приготовления пластин перед осуществлением фотолитографии и других процессов изготовления микроэлектронных компонентов.
Качественная механическая обработка пластин является основополагающей для успешного производства полупроводниковых устройств. Точность и качество обработки напрямую влияют на производительность и надежность конечного продукта. Улучшенные методы обработки позволяют достигать более высоких технологических стандартов и способствуют миниатюризации устройств.