Установки предназначены для очистки, активации и травления поверхностей материалов, заготовок и изделий ВЧ и НЧ плазмой низкого давления.
Объём камеры | 15-150 л |
---|---|
Питание | 13,56 МГц |
Мощность | 300–1000 Вт |
Установки предназначены для очистки, активации и травления поверхностей материалов, заготовок и изделий ВЧ и НЧ плазмой низкого давления.
Объём камеры | 15-150 л |
---|---|
Питание | 13,56 МГц |
Мощность | 300–1000 Вт |
Установки предназначены для очистки, активации и травления поверхностей материалов, заготовок и изделий ВЧ и НЧ плазмой низкого давления.
Объём камеры | 3,8–12,8 л |
---|---|
Питание | 40 кГц / 13,56 МГц |
Мощность | 10–150Вт / 10–300 Вт |
Установки плазменной обработки используются в микроэлектронике и других промышленных секторах для выполнения различных видов поверхностной обработки посредством плазмы. Плазма — это ионизированный газ, обладающий уникальными химическими и физическими свойствами, что делает его идеальным инструментом для точной обработки материалов.
Установки плазменной обработки создают плазму путём приложения электрического поля к газу (часто используют аргон, кислород, фторсодержащие газы) в вакуумной камере. Энергия поля отрывает электроны от атомов газа, создавая плазму — смесь ионов, свободных электронов и нейтральных молекул.
Травление плазмой (plasma etching):
Очистка плазмой (plasma cleaning):
Активация плазмой (plasma activation):
Плазменная обработка находит применение в различных областях:
Современные установки плазменной обработки представляют собой сложные системы, куда входят источники плазмы, системы контроля газового потока, высокочастотные генераторы и системы вакуумирования, все это обеспечивает высокую точность и воспроизводимость процессов.