Системы фотолитографии

Отправляя данные формы, я автоматически принимаю условия Политики конфиденциальности, в том числе в части обработки и использования моих персональных данных.

Автоматические кластерные установки нанесения и проявления фоторезиста

Автоматические кластерные установки нанесения и проявления фоторезиста

Автоматические кластерные  системы нанесения, проявления, сушки и задубливания используется в процессах производства полупроводников, связанных с фотолитографическими материалами. Полностью автоматизированная система с роботизируемым перемещением подложек имеет удобный рабочий интерфейс и гибкую конфигурацию процесса. При помощи технологии автоматического мониторинга происходит выравнивание, очистка, нанесение покрытия, термообработка и охлаждения пластин.

В зависимости от потребностей, компоновка и функции машины прорабатываются индивидуально под каждый техпроцесс.

Автоматические установки отмывки пластин и фотошаблонов

Автоматические установки отмывки пластин и фотошаблонов

Полностью автоматические  системы отмывки пластин и фотошаблонов с кассетной загрузкой. Используются для серийного производства полупроводников. В зависимости от потребностей, компоновка и функции машины прорабатываются индивидуально под каждый техпроцесс.

Автоматические установки взрывной литографии (Lift-off)

Автоматические установки взрывной литографии (Lift-off)

Полностью автоматические системы обратной (взрывной) литографии используются в процессах производства полупроводников, связанных с фотолитографическими материалами. Полностью автоматизированная система с роботизируемым перемещением подложек имеет удобный рабочий интерфейс и гибкую конфигурацию процесса. Системы поддерживают 3-8 дюймовые пластины.

В зависимости от потребностей, компоновка и функции машины прорабатываются индивидуально под каждый техпроцесс.

Полуавтоматические установки нанесения, проявления и травления фоторезиста

Полуавтоматические установки нанесения, проявления и травления фоторезиста

Полуавтоматические системы нанесения, проявления, травления фоторезиста и отмывки пластин и фотошаблонов с ручной загрузкой и выгрузкой, используются в мелкосерийном производстве полупроводников. В зависимости от потребностей, компоновка и функции машины прорабатываются индивидуально под каждый техпроцесс.

Установки спреевого нанесения фоторезиста

Установки спреевого нанесения фоторезиста

Установки позволяют наносить фоторезист на поверхность с глубокой развитой топологии спреевым методом нанесения.

Характеристики
Размер пластин 4/6/8/10 дюймов
Температура 50–150 °С
Равномерность температуры ≤ 2%
Равномерность ≤ 10%

Центрифуги для нанесения фоторезиста

Центрифуги для нанесения фоторезиста

Высокоточные настольные установки для нанесения резистивных покрытий и тонких плёнок методом центрифугирования.

Характеристики
Скорость вращения До 10000/12000 об/мин
Ускорение До 50000 об/мин
Разрешение 1 об/мин
Диаметр пластин 4/6/8/10/12 дюймов

Установки сушки и задубливания фоторезиста

Установки сушки и задубливания фоторезиста

Настольные программируемые высокоточные установка для сушки и задубливания фоторезиста.

Характеристики
Нагр. плита 220×220 мм / 340×340 мм
Температура До250/300/600 °С
Равномерность ≤ ±1%
Разрешение 0.1 °C

Формирование слоя фоторезиста

Формирование слоя фоторезиста является критически важным этапом в производстве полупроводников и микроэлектроники. Системы нанесения, проявления, травления и снятия фоторезиста обеспечивают создание и модификацию топологии на полупроводниковых пластинах, которые критичны для формирования схем.

1. Системы нанесения фоторезиста

Эти системы, известные как спин-коутеры, равномерно распределяют фоторезист на поверхности кремниевых пластин. Принцип действия заключается в следующем:

  • Пластина закрепляется на вращающейся платформе, а затем на неё капает фоторезист.
  • Пластина вращается с высокой скоростью, чтобы фоторезист равномерно распределялся под действием центробежной силы.
  • После этого пластина проходит процесс пресушки для удаления лишних растворителей перед процессом экспонирования.

2. Системы проявления фоторезиста

После экспонирования пластина обрабатывается в проявительной машине:

  • Проявители удаляют области фоторезиста, подверженные воздействию света (для позитивного резиста) или защищают области, которые не были освещены (для негативного резиста).
  • Этот процесс включает обработку пластин специализированными химическими растворами, которые растворяют или твердеют фоторезист в зависимости от типа экспонирования.

3. Системы травления

После проявления следует процесс травления, где необходимо удалить материал из открытых участков пластины:

  • Травление происходит с использованием химических растворов для более точного удаления материала.
  • Системы травления должны обеспечивать высокую точность для обеспечения качества и эффективности производственного процесса.

4. Системы снятия фоторезиста

После завершения всех процессов на пластине, остатки фоторезиста должны быть удалены:

  • Это осуществляется с помощью систем снятия фоторезиста, которые могут использовать химическое для очистки пластины от остатков резиста.
  • Чистота и отсутствие загрязнений после окончания процесса снятия критически важны для следующих этапов производства.

Значение в производственной линии

Каждая из этих систем обеспечивает контролируемое и повторяемое выполнение необходимых процессов, что позволяет достичь высокой детализации и точности изготовления микроэлектронных компонентов. Эффективность систем нанесения, проявления, травления и снятия фоторезиста напрямую влияет на качество и стоимость производства полупроводниковых устройств.