Литографические машины

Отправляя данные формы, я автоматически принимаю условия Политики конфиденциальности, в том числе в части обработки и использования моих персональных данных.

Установки Контактной UV литографии

Установки Контактной UV литографии

Установки совмещения и экспонирования предназначены для выполнения операций прецизионного совмещения фотошаблонов с подложками гибридных интегральных схем по лицевой и обратной стороне и экспонирования нанесённых на них тонких слоёв позитивного и негативного фоторезистов, чувствительных в ультрафиолетовом спектре, источником света ультрафиолетового диапазона.

Характеристики
Конфигурация Односторонняя / двухсторонняя
Рабочая зона 100×100 / 200×200 мм
Точность выравнивания Лицевой стороны ±1 мкм
Обратной стороны ±2 мкм
Длина волны 365 нм / 405 нм / 435 нм
Минимальный размер элемента 1 мкм

Автоматические установки контактной UV литографии

Автоматические установки контактной UV литографии

Полностью автоматические установки совмещения и экспонирования предназначены для выполнения операций прецизионного совмещения фотошаблонов с подложками гибридных интегральных схем и экспонирования нанесённых на них тонких слоёв позитивного и негативного фоторезистов.

Характеристики
Рабочая зона 167×167 мм
Точность совмещения Предварительное ±150 мкм
Рабочее ±1 мкм
Длина волны 365 нм
Минимальный размер элемента 1 мкм

Фотолитографические степперы (установки совмещения и экспонирования)

Фотолитографические степперы (установки совмещения и экспонирования)

Установки предназначены для использования на операциях совмещения и помодульного проекционного экспонирования полупроводниковых пластин в производственных линиях промышленного изготовления интегральных схем. Система переносит уменьшенное изображение с промежуточного фотооригинала (ПФО) на полупроводниковые пластины, с нанесённым на них фоторезистом.

Характеристики
Диаметр подложек Односторонняя / двухсторонняя
Точность совмещения Лицевой стороны 0,3–0,6 мкм
Обратной стороны 1 мкм
Длина волны 365–436 мкм
Размер линии (элемента) 0,8–1 мкм

Установки безмасковой литографии UV

Установки безмасковой литографии UV

Систем безмасковой литографии UV, основанное на технологии DMD-проекции, совместимое с широким спектром резистов и подложек. Система может создавать любые 2D-формы с микронным разрешением без необходимости использования жесткой маски.

Характеристики
Источник exposure: 385 nm; alignment: 590 nm
Минимальный размер объекта 1,5 мкм (0,5 мкм)
Точность выравнивания 1 мкм (0,5 мкм)
Максимальная площадь экспозиции 110×110 мм
Размер подложек до 5 мкм
Скорость 220 мм2/мин

Литографические машины (фотолитографическое оборудование) играют центральную роль в производстве полупроводников и микроэлектроники. Эти установки используются для переноса визуального узора с фотошаблона на поверхность кремниевой пластины или другого материала с помощью фоточувствительного химического вещества (фоторезиста). Процесс включает в себя несколько ключевых этапов: покрытие, выравнивание, совмещение и экспонирование фоторезиста.

Виды литографических машин

Контактная литография:

Фотошаблон прижимается непосредственно к пластине.

Преимущества: Простота и низкая стоимость.

Недостатки: Высокий риск повреждения шаблона и пластины.

Проксимальная литография:

Фотошаблон находится на небольшом расстоянии от пластины.

Преимущества: Меньший риск повреждения, лучше подходит для серийного производства.

Недостатки: Некоторое ухудшение разрешения из-за дифракции.

Проекционная литография:

Использует оптическую систему для проецирования изображения шаблона на пластину.

Преимущества: Высокое разрешение и возможность миниатюризации.

Подразделяется на:

  • Панорамная (сканирующая): Шаблон проецируется последовательно на разные участки пластины.
  • Степперные системы: Переносит изображение на пластину шаг за шагом с повторением шаблона.

Экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV):

Использует свет с очень короткой длиной волны для улучшения разрешения.

Преимущества: Способность создавать микросхемы с еще более мелкими элементами.

Недостатки: Высокая стоимость и техническая сложность.

Применения

Литография ключевой этап в производстве интегральных схем, где сложные узоры требуемых электрических компонентов создаются на кремниевых пластинах. Этот процесс позволяет масштабировать производство и увеличивать степень интеграции компонентов на микросхеме, способствуя увеличению производительности и уменьшению размеров и стоимости устройств.

Значение

Литография в микроэлектронике – это сложное сочетание химии, физики и точных инженерных решений, способствующее непрерывному уменьшению размеров транзисторов и устройств. Развитие технологий литографии напрямую коррелирует с улучшением производительности и снижением энергопотребления электронных устройств.