Установки лазерной подрезки транзисторов. Выполняет точную лазерную настройку соответствующих параметров различных тонкопленочных/толстопленочных интегральных схем, таких как сопротивление, напряжение, ток, цикл, частота и т. д.
| Длина волны лазера | 1064 нм (532 нм / 355 нм опционально) |
|---|---|
| Точность обрезки | ±0.3 % |
| Разрешение | 1,5 мкм |
| Точность позиционирования | 2 мкм |
| Рабочая зона | 100×100 мм |
Принцип работы таких установок основан на использовании лазерного излучения для локального нагрева или удаления материала компонента. Это позволяет изменять его характеристики, такие как сопротивление, ёмкость и индуктивность.
В процессе подгонки лазерное излучение фокусируется на поверхности компонента, вызывая нагрев или испарение материала. Изменение характеристик компонента контролируется с помощью измерительных приборов, которые определяют его сопротивление.
Установки лазерной подгонки могут использоваться для различных типов тонкоплёночных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности. Они широко применяются в производстве интегральных схем, микроэлектронных устройств и других высокотехнологичных изделий.